Considere uma amostra de silício com 2 mm de espessura dopada com antimônio. Suponha que a fonte do dopante (uma mistura de cloreto de antimônio com outros gases) forneça uma concentração constante de 1022 átomos/m3 Precisamos de um perfil de dopante que permita uma concentração de Sb de 5 × 1021 átomos/m3 a uma profundidade de 1 μm. Qual será o tempo necessário para o tratamento térmico de difusão? Suponha que inicialmente o “wafer” de silício não contenha impurezas nem dopantes. A energia de ativação para a difusão do Sb no silício é de 380 kJ/mol e o D0 para a mesma difusão vale 1,3 × 10−3 m2/s. Considere T = 1.250 °C.
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