Calcule as concentrações de superfície constantes do fósforo e do boro, necessárias para se atingir uma concentração de 1018 átomos/cm3 a uma profundidade de 0,1 μm a partir da superfície do cristal de silício individual, utilizando um tratamento térmico a 1.100 °C durante 1 hora. Considere o fósforo e o boro separadamente. Os coeficientes de difusão de P e B no cristal de silício individual a 1.100 °C são 6,5 × 10−13 cm2/s e 6,1 × 10−13 cm2/s, respectivamente.
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